IRF9389TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道,P沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:6.8 A,4.6 A
Rds上漏源导通电阻:22毫欧,51毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V
Qg-血浆甲醛:6.8 nC,8.1 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
商标名:HEXFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
系列:IRF939
晶体管类型:1 N通道,1 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-应力:8.2 S,4.1 S
下降时间:3.9 ns,15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:4.8 ns,14 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:4.9 ns,17 ns
典型起始延迟时间:5.1 ns,8 ns
零件号别名:IRF9389TRPBF SP001551666
单位重量:506.600毫克
应用领域
•逆变器高低侧开关
•通用和半桥高低侧开关
特征
单个封装中的高端和低端MOSFET
高端P沟道MOSFET
行业标准的引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1,消费者资格
好处
功率密度增加
驱动电路更简单
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

 

Parameter

Max.

Units

N-Channel

P-Channel

 

VGS

Gate-to-Source Voltage

±20

±20

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

6.8

-4.6

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

5.4

-3.7

IDM

Pulsed Drain Current CD

34

-23

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.0

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation

1.3

 

Linear Derating Factor

0.016

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRF9389TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装