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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:32 A
Rds上漏源导通电阻:44毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-血浆甲醛:71 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:130 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-预期:21 S
下降时间:35 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:35 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:39 ns
典型起始延迟时间:11 ns
零件号别名:IRFR3411TRPBF SP001564934
单位重量:4 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司(International Rectifier)的高级HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
D-Pak专为使用气相,红外或波峰焊技术进行表面安装而设计。 I-Pak直引线版本(IRFU系列)用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中,功耗可能高达1.5瓦。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
32 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
23 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
110 |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
130 |
W |
|
Linear Derating Factor |
0.83 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
IAR |
Avalanche CurrentCD |
16 |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
13 |
mJ |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt Gl |
7.0 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
IRFR3411TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装