IRGB6B60KDPBF IGBT晶体管▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:IGBT晶体管
RoHS:详细信息
技术:Si
封装/箱体:TO-220AB-3
安装风格:通孔
配置:单
集电极—发射极最大电压VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.8 V
正极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:18 A
Pd-功率耗散:90 W
IGBT晶体管最小工作温度:-55 C
IGBT晶体管最大工作温度:+ 150 C
系列:RC
封装:Tube
高度:16.51毫米
长度:10.67毫米
宽度:4.83毫米
商标:Infineon / IR
正极—射极漏泄电流:100 nA
产品类型:IGBT晶体管
工厂包装数量:1000
子类别:IGBT
商标名:TRENCHSTOP
零件号别名:IRGB6B60KDPBF SP001532684
单位重量:6 g

特征
•低VCE(开)非穿通IGBT技术。
•低二极管VF。
•10μs的短路能力。
•方形RBSOA。
•超软二极管反向恢复特性。
•正VCE(on)温度系数。
•无铅
好处
•电机控制的基准效率。
•坚固的瞬态性能。
•低EMI。
•并联运行中出色的电流共享

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VCES

Collector-to-Emitter Voltage

600

V

IC @ TC = 25°C

Continuous Collector Current

18

A

IC @ TC = 100°C

Continuous Collector Current

10

ICM

Pulsed Collector Current

26

ILM

Clamped Inductive Load Current©

26

IF @ TC = 25°C

Diode Continuous Forward Current

18

IF @ TC = 100°C

Diode Continuous Forward Current

10

IFM

Diode Maximum Forward Current

26

VGE

Gate-to-Emitter Voltage

± 20

V

PD @ TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

90

w

PD @ TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

36

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to +150

°C

Soldering Temperature, for 10 sec.

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)


型号/规格

IRGB6B60KDPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装