IRGB6B60KDPBF IGBT晶体管▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-220AB-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极最大电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：1.8 V
正极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：18 A
Pd-功率耗散：90 W
IGBT晶体管最小工作温度：-55 C
IGBT晶体管最大工作温度：+ 150 C
系列：RC
封装：Tube
高度：16.51毫米
长度：10.67毫米
宽度：4.83毫米
商标：Infineon / IR
正极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：1000
子类别：IGBT
商标名：TRENCHSTOP
零件号别名：IRGB6B60KDPBF SP001532684
单位重量：6 g

特征
•低VCE（开）非穿通IGBT技术。
•低二极管VF。
•10μs的短路能力。
•方形RBSOA。
•超软二极管反向恢复特性。
•正VCE（on）温度系数。
•无铅
好处
•电机控制的基准效率。
•坚固的瞬态性能。
•低EMI。
•并联运行中出色的电流共享

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VCES	Collector-to-Emitter Voltage	600	V
I_C @ T_C = 25°C	Continuous Collector Current	18	A
I_C @ T_C = 100°C	Continuous Collector Current	10
ICM	Pulsed Collector Current	26
ILM	Clamped Inductive Load Current©	26
I_F @ T_C = 25°C	Diode Continuous Forward Current	18
I_F @ T_C = 100°C	Diode Continuous Forward Current	10
IFM	Diode Maximum Forward Current	26
VGE	Gate-to-Emitter Voltage	± 20	V
P_D @ T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	90	w
P_D @ T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	36	w
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to +150	°C
	Soldering Temperature, for 10 sec.	300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

型号/规格

IRGB6B60KDPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装