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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:4.2 A
Rds上漏源导通电阻:45毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Qg-血浆甲醛:8 nC
Pd-功率耗散:1.3 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.1毫米
长度:2.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:1.3毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLML2502TRPBF SP001558336
单位重量:40毫克
特征
•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23足迹
•薄型(<1.1mm)
•提供卷带包装
•快速切换
•无铅
•符合RoHS,无卤素
描述
这些来自国际整流器公司(International Rectifier)的
N沟道MOSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积的
导通电阻极低。 这项优势与HEXFET®功率MSFET众
所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合,为设
计人员提供了一种用于电池和负载管理的极其高效和可靠的器件。
标准SOT-23封装中集成了散热增强的大焊盘引线框,以生产
具有业界最小尺寸的HEXFET功率MSFET。 这种被称为
Micro3™的封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵的应用。
Micro3的薄型(<1.1mm)使它可以轻松地适应极薄的应用环境,
例如便携式电子设备和PCMCIA卡。 最佳的热阻和功耗。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain- Source Voltage |
20 |
V |
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
4.2 |
A |
ID @ TA= 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
3.4 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
33 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
1.25 |
w |
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
0.8 |
|
|
Linear Derating Factor |
0.01 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 12 |
V |
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRLML2502TRPBF
IR
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装