IRF7413TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：13 A
Rds上漏源导通电阻：18毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：44 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7413TRPBF SP001570386
单位重量：540毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•N通道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•100％RG测试
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以实现极低的每硅面积导通电阻。这项优势与HEXFET功率
MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计
相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，
可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性
和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择。
通过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用中
使用多种设备。该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。
在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于0.8W。
最大绝对额定值
Symbol
Parameter
Max
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
30
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
13
A
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
9.2
IDM
Pulsed Drain Current CD
58
PD @TA = 25°C
Power Dissipation
2.5
W
Linear Derating Factor
0.02
mW/°C
EAS
Single Pulse Avalanche Energency Q)
260
mJ
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt ＠
5.0
V/ns
TJ, TSTG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
IRF7413TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
