IRFZ44EPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：48 A
Rds上漏源导通电阻：23毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：40 nC
Pd-功率耗散：110 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFZ44EPBF SP001557776
单位重量：6 g
特征
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅

描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可

靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业

应用。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	48	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	34
IDM	Pulsed Drain Current G)a)	192
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	110	W
	Linear Derating Factor	0.71	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energyal	220	mJ
IAR	Avalanche CurrentG)	29	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyG)	11	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt Gl	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFZ44EPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装