IRL3705NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:77 A
Rds漏源导通电阻:10毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Qg-血浆甲醛:65.3 nC
Pd-功率耗散:130 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRL3705NPBF SP001578520
单位重量:6 g
特征

逻辑-电平门驱动
先进的工艺技术
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
无铅
描述
第五代HEXFET利用先进的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。

 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐

用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件,

可广泛用于各种应用中。

TO-220封装普遍适用于所有商业工业应用,其功耗水平约为50瓦。 

TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

89

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

63

IDM

Pulsed Drain Current 

310

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

170

W

 

Linear Derating Factor

1.1

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 16

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy

340

mJ

IAR

Avalanche Current 

46

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy 

17

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ƒ

5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRL3705NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装