IRF7811AVTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：14 A
Rds上漏源导通电阻：14毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：17 nC
Pd-功率耗散：3.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7811AVTRPBF SP001566386
单位重量：540毫克
特征
•N通道专用MOSFET
•理想用于CPU核心DC-DC转换器
•低传导损耗
•开关损耗低
•最小化用于大电流应用的并联MOSFET
•100％RG测试
•无铅
描述
这款新器件采用了先进的HEXFET功率MSFET技术，
可实现导通电阻和栅极电荷的前所未有的平衡。
降低的导通和开关损耗使其非常适合为最新一代微
处理器供电的高效DC-DC转换器。
IRF7811AV已针对同步降压转换器中至关重要的所有
参数进行了优化，包括RDS（on），栅极电荷和Cdv / dt
引起的导通抗扰性。 IRF7811AV提供了Qsw和RDS（on）
的极低组合，从而减少了控制和控制方面的损耗。
同步FET应用。
该封装设计用于气相，红外，对流或波峰焊接技术。
在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于2W。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Symbol |
IRF7811AV |
Units |
|
|
Drain-to-Source Voltage |
VDS |
30 |
V |
|
|
Gate-to-Source Voltage |
VGS |
±20 |
||
|
Continuous Output Current (VGS 3 4.5V) |
TA = 25°C |
ID |
10.8 |
A |
|
TL = 90°C |
11.8 |
|||
|
Pulsed Drain Current CD |
IDM |
100 |
||
|
Power Dissipation Q) |
TA = 25°C
|
PD |
2.5 |
W |
|
TL = 90°C |
3.0 |
|||
|
Junction & Storage Temperature Range |
TJ , TSTG |
-55 to 150 |
°C |
|
|
Continuous Source Current (Body Diode) |
IS |
2.5 |
A |
|
|
Pulsed Source Current CD |
ISM |
50 |
||
IRF7811AVTRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
