IRF5305STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-2
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:31 A
Rds上漏源导通电阻:60毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:42 nC
Pd-功率耗散:110 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 P通道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF5305STRLPBF SP001564840
单位重量:4 g

HEXFETE功率MOSFETAdvanced工艺技术表面安装

(RF5305S)VDSS=-55V低剖面通孔

RF5305L175C工作温度Fast开关Rds(开)=0。

06]2P沟道完全雪崩率DD1描述了国际整流器第二代

六角场效应晶体管利用先进的加工技术实现每硅面积

的极低导通电阻。这个优点,加上快速的开关速度和

加固的器件设计,HEXFET功率mosfet是众所周知的,

为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备,

可在各种应用中使用。D-pak是一种表面安装式电源包,

可用于尺寸高达HEX-4的普通模具。它在任何现有的

表面安装式电源包中提供最高的电源能力和的

262对262电阻。由于其内部连接电阻低,可以消散到2

,所以2PAK适用于大电流应用。0W在典型的表面贴装应用中,

通孔型(IRF5305L)可用于低剖面应用绝对最大额定值

SparameterMaxUnitsID Q Tc=25“C连续漏极电流,

Vos@-10VGID 2 Tc=100 C连续漏极电流。

Vos 2-10V6脉冲漏极电流O(s)-110PPQTA=25

功耗3.8Po@Tc=25℃功耗线性降额系数0.71Wpc

Gate-to-source电压单脉冲雪崩能量2G)mIAR

Avalanche电流重复雪崩能量0dv/dtPeak二极管恢复

dv/dt 3S5.8V/ns工作结和55至+175存储温度焊接温度范围。

持续10秒300(1。从外壳热阻参数TypMaxUnitsRecFunction

到外壳/恢复到环境(PCB安装,稳态)的6mm

型号/规格

IRF5305STRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装