IR2301STRPBF 门驱动器 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：门驱动器
RoHS：详细信息
产品：半桥驱动器
类型：高边，低边
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOIC-8
激励器数量：2驱动程序
输出端数量：2输出
输出电流：200 mA
上升时间：220 ns
下降时间：80 ns
电源电压-最小：5 V
电源电压-最大：20 V
传播延迟—延迟：300 ns
工作电源电流：190 uA
钯-功率耗散：625 mW
门驱动器最小工作温度：-40 C
门驱动器最大工作温度：+ 150 C
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
特点：独立
高度：1.5毫米
长度：5 mm
技术：Si
宽度：4毫米
商标：Infineon / IR
逻辑类型：CMOS，TTL
最大关闭延迟时间：200 ns
最大开启延迟时间：220 ns
湿度敏感性：是
产品类型：门驱动器
工厂包装数量：2500
子类别：PMIC-电源管理IC
零件号别名：IR2301STRPBF SP001533270
单位重量：540毫克
特征
•浮动通道设计用于自举操作
完全可工作至+ 600V
耐负瞬态电压dV / dt免疫
•栅极驱动电源范围为5至20V
•两个通道均欠压锁定
•兼容3.3V，5V和15V输入逻辑
•两个通道的匹配传播延迟
•逻辑和电源地+/- 5V偏移。
•较低的di / dt栅极驱动器，具有更好的抗噪能力
•输出与输入同相
•也可用无铅（PbF）

IR2301（S）是高压，高速
具有独立的高端和低端参考输出的功率MOSFET和IGBT驱动器
渠道。 专有的HVIC和抗闩锁
CMOS技术可实现坚固的单片结构。 逻辑输入兼容
具有标准CMOS或LSTTL输出，低至
3.3V逻辑。 输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级设计为最小
驱动器交叉传导。 浮动频道
可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT
600伏