IRFB4110PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：180 A
Rds上漏源导通电阻：3.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：150 nC
Pd-功率耗散：370 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
MOSFET工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFB4110PBF SP001570598
单位重量：6 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的Gate，雪崩和动态dv / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS，无卤素
最大绝对额定值
Symbol
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
180G)
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
130G)
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)
120
IDM
Pulsed Drain Current (?)
670
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
370
W
Linear Derating Factor
2.5
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
V
dv/dt
Peak Diode Recovery @)
5.3
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
300
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
10lb"in (1.1N"m)
热阻
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
RqJC
Junction-to-Case ®
–––
0.402
°C/W
RqCS
Case-to-Sink, Flat Greased Surface
0.50
–––
RqJA
Junction-to-Ambient ®
–––
62
IRFB4110PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
