IRF7832TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：20 A
Rds上漏源导通电阻：3.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.32 V
Qg-血浆甲醛：34 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：77 S
下降时间：13 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：6.7 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：21 ns
典型起始延迟时间：12 ns
零件号别名：IRF7832TRPBF SP001570470
单位重量：506.600毫克
应用领域
•用于笔记本处理器电源的同步MOSFET
•用于网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流器MOSFET
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•完全表征的雪崩电压和电流
•20V VGS最大。 门额定值
•100％经过Rg测试
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
30
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
20
A
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
16
IDM
Pulsed Drain Current CD
160
PD @TA = 25°C
Power Dissipation
2.5
W
PD @TA = 70°C
Power Dissipation
1.6
Linear Derating Factor
0.02
W/°C
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 155
°C
IRF7832TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
