IRF7807TR MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：8.3 A
Rds上漏源导通电阻：25毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：12 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7807TRPBF SP001570502
单位重量：540毫克
特征
•N通道专用MOSFET
•理想用于移动DC-DC转换器
•低传导损耗
•开关损耗低
•无铅
描述
这些新器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术，
实现了导通电阻和栅极电荷的前所未有的平衡。
降低的导通和开关损耗使其非常适合为最新一
代移动微处理器供电的高效DC-DC转换器。
一对IRF7807器件可为系统电压（例如3.3V和5V）
提供最佳的成本/性能解决方案。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Symbol |
IRF7807 |
IRF7807A |
Units |
|
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
30 |
V |
||
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±12 |
|||
|
Continuous Drain or Source Current (VGS 3 4.5V) |
25°C |
ID |
8.3 |
8.3 |
A |
|
70°C |
6.6 |
6.6 |
|||
|
Pulsed Drain CurrentCD |
IDM |
66 |
66 |
||
|
Power Dissipation |
25°C |
PD |
2.5 |
W |
|
|
70°C |
1.6 |
||||
|
Junction & Storage Temperature Range |
TJ, TSTG |
–55 to 150 |
°C A |
||
|
Continuous Source Current (Body Diode)CD |
IS |
2.5 |
2.5 |
||
|
Pulsed source Current |
ISM |
66 |
66 |
|
|
|
Parameter |
|
Max. |
Units |
|
Maximum Junction-to-AmbientCT |
RqJA |
50 |
°C/W |
IRF7807TR
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
