IRFB5620PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：25 A
Rds上漏源导通电阻：72.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：25 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：144 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：37 S
下降时间：9.9 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：14.6 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：17.1 ns
典型起始延迟时间：8.6 ns
零件号别名：IRFB5620PBF SP001565852
单位重量：6 g
特征

针对D类音频放大器应用优化的关键参数
较低的RDSON以提高效率
低QG和QSW，可实现更好的THD和更高的效率
低QRR可提供更好的THD和更低的EMI
175°C的工作结温，坚固耐用
在半桥配置放大器中为8负载提供每通道高达300W的功率
描述
该数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。

该MOSFET利用最新的处理技术来实现每硅面积的

低导通电阻。此外，优化了栅极电荷，体二极管

反向恢复和内部栅极电阻，以改善D类音频放大器

的关键性能指标，例如效率，THD和EMI。

该MSFET的其他功能是175°C的工作结温和

重复雪崩能力。这些功能相结合，使该MSFET

成为ClassD音频放大器应用中的高效，坚固和可靠的器件。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	200	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	25	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	18
IDM	Pulsed Drain Current Q)	100
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation ©	144	W
P_D @T_C = 100°C	Power Dissipation ©	72	W
	Linear Derating Factor	0.96	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb"in (1.1N"m)

型号/规格

IRFB5620PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装