IRL520NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：10 A
Rds上漏源导通电阻：180毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：13.3 nC
Pd-功率耗散：48 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL520NPBF SP001558080
单位重量：6 g
特征

逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅

描述

国际整流器第五代六角场效应晶体管利用先进的加工技术，

使每一硅区的导通电阻达到极低水平。这一优点，加上

HEXFPowerMOSFETS众所周知的快速开关速度和加固设备设计，

为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备，可用于各种应用。

TO-220组件在功率耗散水平约为5瓦的所有商业工业应用

中都是普遍首选的。TO-220的低耐热性和低包装成本使

其在整个行业得到广泛接受。

绝对最大额定值SPArametermaxUnits的连续漏极电流，

Ves 2 10V10ID Q Tc=100C连续漏极电流，Ves 210V

脉冲漏极电流①IPCOTC=25’C功率DSS线性降额系数

门到源电压单脉冲雪崩能量285MJ Ravalanche电流

6.0等效雪崩能量OMJdv/dtPeak二极管恢复

dv/dt 35.0 V工作结和55至+175T测试存储温度范围

订购温度，对于10秒300 11.6毫米（距壳体安装扭矩），

6-32或M3 srew10 bfin（1.1 N-m）热阻参数最大

单位功能壳体3.1壳体到散热器。平的。润滑

表面0.50°C/W与周围环境的连接。