IRLMS5703TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：2.3 A
漏源导通电阻：400 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：7.2 nC
Pd-功率耗散：1.7 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLMS5703TRPBF SP001552748
单位重量：20毫克
特征
•第五代技术
•Micro6封装样式
•超低RDS（on）
•P沟道MOSFET
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET
利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。
为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
Micro6™封装及其定制的引线框架可生产HEXFET®
功率MSFET，其RDS（上）比类似尺寸的SOT-23小60％。
该封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵的应用。
与SOT-23相 比，它独特的散热设计和RDS（on）
降低使电流处理能力提高了近300％。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-2.4 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @- 10V |
-1.9 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-13 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
1.7 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
13 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt 0 |
5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRLMS5703TRPBF
IR
TSOP-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
