IRGP35B60PDPBF IGBT晶体管▊原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:IGBT晶体管
RoHS:详细信息
技术:Si
封装/箱体:TO-247-3
安装风格:通孔
配置:单
集电极—发射极MAX电压VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.85 V
正极/发射极MAX电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:60 A
Pd-功率耗散:308 W
IGBT晶体管MIN工作温度:-55 C
IGBT晶体管MAX工作温度:+ 150 C
封装:Tube
集电极极大连续电流Ic:60 A
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
正极—射极漏泄电流:100 nA
产品类型:IGBT晶体管
工厂包装数量:400
子类别:IGBT
零件号别名:IRGP35B60PDPBF SP001546216
单位重量:38 g

特征
•NPT技术,正温度系数
•较低的VCE(SAT)
•较低的寄生电容
•极少尾电流
•HEXFRED超快速软恢复共装二极管
•更严格的参数分配
•更高的可靠性
好处
•并行操作以用于更高电流的应用
•更低的传导损耗和开关损耗
•更高的开关频率高达150kHz
应用领域
•电信和服务器SMPS
•PFC和ZVS SMPS电路
•不间断电源
•消费电子电源
•环保
额定值

Parameter

Max.

Units

VCES

Collector-to-Emitter Voltage

600

V

IC @ TC = 25°C

Continuous Collector Current

60

 

 

 

A

IC @ TC = 100°C

Continuous Collector Current

34

ICM

Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4)

120

ILM

Clamped Inductive Load Current Q)

120

IF @ TC = 25°C

Diode Continous Forward Current

40

IF @ TC = 100°C

Diode Continous Forward Current

15

IFRM

Maximum Repetitive Forward Current @

60

VGE

Gate-to-Emitter Voltage

±20

V

PD @ TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

308

W

PD @ TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

123

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to +150

 

°C

 

Soldering Temperature for 10 sec.

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10 lbf·in (1.1 N·m)

型号/规格

IRGP35B60PDPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装