AUIRFR4105Z MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：30 A
Rds上漏源导通电阻：24.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：18 nC
最小工作温度：-55 C
Pd-功率耗散：48 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：24 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：40 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：26 ns
典型起始延迟时间：10 ns
零件号别名：AUIRFR4105Z SP001520528
单位重量：4 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，

利用最新的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。

此设计的其他功能是175°C的结温，快速的开关

速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合，

使该设计成为一种非常有效且可靠的器件，

可用于汽车应用以及各种其他应用。

最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	30	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	21
IDM	Pulsed Drain Current	120
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	48	W
	Linear Derating Factor	0.32	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚	29	mJ
E_AS (Tested)	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value †	46	mJ
IAR	Avalanche Current	See Fig.15,16, 12a, 12b	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy …	See Fig.15,16, 12a, 12b	mJ
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

型号/规格

AUIRFR4105Z

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装