IRLI3705NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：47 A
Rds上漏源导通电阻：18毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：65.3 nC
Pd-功率耗散：47 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLI3705NPBF SP001576840
单位重量：6 g
特征
逻辑-电平门驱动
先进的工艺技术
隔离包装
高压隔离= 2.5KVRMS
下沉到导致爬电距离。 = 4.8毫米
完全雪崩等级
无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

可实现每硅面积极低的导通电阻。这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的

器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和

可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-220 Full Pak消除了工业应用中对附加绝缘硬件的

需求。所使用的模塑料在接线片和外部散热器之间具

有较高的隔离能力和较低的热阻。这种隔离等效于对

标准TO-220产品使用100微米的云母屏障。 Fullpak

可使用单个夹子或单个螺钉固定到散热器上。

Absolute Maximum Ratings
Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	52	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	37
IDM	Pulsed Drain Current †	310
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	58	W
	Linear Derating Factor	0.39	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚†	340	mJ
IAR	Avalanche Current †	46	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy	5.8	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dtƒ†	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRLI3705NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装