IRFB33N15DPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：33 A
Rds上漏源导通电阻：56毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.5 V
Qg-萘甲酸：60 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：3.8 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：Smps MOSFET
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：14 S
下降时间：21 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：38 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：23 ns
典型起始延迟时间：13 ns
零件号别名：IRFB33N15DPBF SP001566470
单位重量：6 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	33	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	24
IDM	Pulsed Drain Current CD	130
P_D @T_A = 25°C	Power Dissipation <z	3.8	W
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	170	W
	Linear Derating Factor	1.1	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 30	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt a>	4.4	V/ns
T_J	Operating Junction and	-55 to + 175	°C
TSTG	Storage Temperature Range	-55 to + 175
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )
	Mounting torqe, 6-32 or M3 screw®	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFB33N15DPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装