IRFP4410Z MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：97 A
Rds上漏源导通电阻：9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：230 W
通道模式：增强
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：57 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：52 ns
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：43 ns
典型起始延迟时间：16 ns
单位重量：38 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	97	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	69
IDM	Pulsed Drain Current <D	390
P_D @T _C = 25°C	Maximum Power Dis sipation	230	W
	Linear Derating Factor	1.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery CJ)	16	V/ns
T_J TSTG	Operating Junc tion and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb•in (1.1N•m)

热阻

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Units
RpJC	Junction-to-Case ®	–––	0.65	°C/W
RpCS	Case-to-Sink, Flat Greased Surface	0.24	–––
RpJA	Junction-to-Ambient ®	–––	40

型号/规格

IRFP4410Z

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装