IRFI3205PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:64 A
漏源导通电阻:8 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:113.3 nC
Pd-功率耗散:48 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFI3205PBF SP001570864
单位重量:3 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
隔离包装
高压隔离= 2.5KVRMS
下沉到导致爬电距离。 = 4.8毫米
完全雪崩等级
无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,

可实现每硅面积极低的导通电阻。这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠

的器件,可广泛用于各种应用中。
TO-220 Fullpak消除了工业应用中对附加绝缘硬件的需求。

所使用的模塑料在接线片和外部散热器之间具有较高的

隔离能力和较低的热阻。这种隔离等效于对标准TO-220

产品使用100微米的云母屏障。 Fullpak可使用单个夹子

或单个螺钉固定到散热器上。

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

64

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

45

IDM

Pulsed Drain Current †

390

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

63

W

 

Linear Derating Factor

0.42

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚†

480

mJ

IAR

Avalanche Current †

59

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy 

6.3

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dtĠ

5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFI3205PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装