IRFR24N15DTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：24 A
Rds上漏源导通电阻：95毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：5 V
Qg-血浆甲醛：45 nC
MOSFET最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：140 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-加速度：8.2 S
下降时间：15 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：53 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFR24N15DTRPBF SP001578104
单位重量：4 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•完全表征的雪崩电压和电流
•无铅
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
24 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
96 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
140 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.92 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 30 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
4.9 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case |
––– |
1.1 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB mount)* |
––– |
50 |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
––– |
110 |
IRFR24N15DTRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
