IRFZ46NLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-262-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：53 A
Rds上漏源导通电阻：16.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：48 nC
Pd-功率耗散：120 W
封装：Tube
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFZ46NLPBF SP001557896
单位重量：4 g
特征

•先进的工艺技术
•表面贴装（IRFZ46NS）
•薄型通孔（IRFZ46NL）
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的高级HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和的导通电阻。 D2Pak适用
由于其内部连接电阻低，因此适用于大电流应用，在典型的表面安装应用中可耗散高达2.0W的功率。
通孔版本（IRFZ46NL）可用于薄型应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V�	53 ®	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V�	37
IDM	Pulsed Drain Current CD�	180
P_D @T_A = 25°C	Power Dissipation	3.8	W
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	107	W
	Linear Derating Factor	0.71	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
IAR	Avalanche CurrentCD	28	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	11	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ®�	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

型号/规格

IRFZ46NLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装