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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:96 A
漏源导通电阻:8 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:120 nC
Pd-功率耗散:250 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFS4410TRLPBF SP001571724
单位重量:4 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
最大绝对额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
88G)® |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
63G)® |
|
IDM |
Pulsed Drain Current (?) |
380 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
200® |
W |
|
Linear Derating Factor |
1.3® |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
dv/dt |
Peak Diode Recovery @) |
19 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb"in (1.1N"m) |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJC |
Junction-to-Case ® |
––– |
0.61® |
°C/W |
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220 |
0.50 |
––– |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient, TO-220 ® |
––– |
62 |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak ®® |
––– |
40 |
IRFS4410TRLPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装