IRFS4321TRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：85 A
漏源导通电阻：12 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5 V
Qg-萘甲酸：110 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：350 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：130 S
下降时间：35 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：60 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：25 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：IRFS4321TRLPBF SP001565002
单位重量：4 g
应用领域
•运动控制应用
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•硬开关和高频电路
好处
•低RDSON减少损耗
•低栅极电荷改善了开关性能
•改善的二极管恢复能力改善了开关和EMI性能
•30V栅极电压额定值提高了鲁棒性
•完全表征的雪崩SOA
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	85 CD	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	60
IDM	Pulsed Drain Current @	330
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	350	W
	Linear Derating Factor	2.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
EAS (Thermally limited)	Single Pulse Avalanche Energy CT	120	mJ °C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300

型号/规格

IRFS4321TRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装