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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:36 A
Rds上漏源导通电阻:44毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-血浆甲醛:49.3 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:140 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-对抗:14 S
下降时间:62 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:81 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:39 ns
典型起始延迟时间:11 ns
零件号别名:IRL540NPBF SP001576440
单位重量:6 g
特征
无铅
逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
说明
来自国际整流器的第五代HEXFETSF采用先进的加工技术,
以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点,加上HEXFET
功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计,
为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备,可用于各
种应用。TO-220封装在功率耗散水平约为50瓦的商业工业
应用中是普遍首选的。TO-220的低耐热性和低包装成本使
其在整个行业得到广泛接受。
最大绝对额定值
Symbol
Maximum
Units
N-Channel
P-Channel
Drain-Source Voltage
VOS
20
-20
Gate-Source Voltage
VGS
士 12
Continuous Drain Current(i)
TA = 25°C
6.6
-5.3
A
TA = 70°C
5.3
-4.3
Pulsed Drain Current
IOM
26
-21
Continuous Source Current (Diode Conduction)
IS
2.5
-2.5
Maximum Power Dissipation (i)
TA = 25°C
2.0
w
TA = 70°C
1.3
Single Pulse Avalanche Energy
EAS
100
150
mJ
Avalanche Current
IAR
4.1
-2.9
A
Repetitive Avalanche Energy
EAR
0.20
mJ
Peak Diode Recovery dv/dt 0
dv/dt
5.0
-5.0
V/ ns
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to + 150 °C
IRL540NPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装