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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:48 A
Rds上漏源导通电阻:26毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Qg-血浆甲醛:93.3 nC
Pd-功率耗散:200 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRL2910PBF SP001576496
单位重量:6 g
特征
无铅
逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/at额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术,
以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点,加上HEXFET
功率mosfet众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,
为设计者提供了一个非常高效和可靠的器件,可用于多种应用。
TO-220封装在功率耗散水平的所有商业工业应用中都是普遍
首选的大约50瓦。TO-220的低耐热性和低包装成本使其在
整个工业中得到广泛的接受。
最大绝对额定值
Symbol
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
350CD
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
250CD
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)
195
IDM
Pulsed Drain Current 0
1390
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
380
W
Linear Derating Factor
2.5
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
V
dv/dt
Peak Diode Recovery ®
2.0
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
300
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
10lb·in (1.1N·m)
IRL2910PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装