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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-6
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:19 A
漏源导通电阻:25 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.35 V
Qg-萘甲酸:4.2 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.9毫米
长度:2 mm
晶体管类型:1 N沟道
类型:HEXFET功率MOSFET
宽度:2毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:18 S
下降时间:5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:5.2 ns
典型起始延迟时间:5.9 ns
零件号别名:IRFHS8342TRPBF SP001556608
应用领域
降压转换器的控制MOSFET
系统/负载开关
特征
低RDSon(16.0mΩ
低热阻PCB(13°C / W)
薄型(1.0毫米)
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1,工业资格
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
功率密度增加
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
8.8Q) |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
7.1 |
|
ID @ TC(Bottom) = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
19Q) |
|
ID @ TC(Bottom)= 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
15Q) |
|
ID @ TC(Bottom) = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
8.5Q) |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
76 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation ® |
2.1 |
W |
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation ® |
1.3 |
|
|
Linear Derating Factor ® |
0.02 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRFHS8342TRPBF
IR
PQFN
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装