IRFHS8342TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-6
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:19 A
漏源导通电阻:25 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.35 V
Qg-萘甲酸:4.2 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.9毫米
长度:2 mm
晶体管类型:1 N沟道
类型:HEXFET功率MOSFET
宽度:2毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:18 S
下降时间:5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:5.2 ns
典型起始延迟时间:5.9 ns
零件号别名:IRFHS8342TRPBF SP001556608
应用领域
降压转换器的控制MOSFET
系统/负载开关
特征
低RDSon(16.0mΩ
低热阻PCB(13°C / W)
薄型(1.0毫米)
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准,不含铅,溴化物和卤素
MSL1,工业资格
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
功率密度增加
易于制造
环保
可靠性更高

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

±20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

8.8Q)

 

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

7.1

ID @ TC(Bottom) = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

19Q)

ID @ TC(Bottom)= 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

15Q)

ID @ TC(Bottom) = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

8.5Q)

IDM

Pulsed Drain Current CD

76

PD @TA = 25°C

Power Dissipation ®

2.1

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation ®

1.3

 

Linear Derating Factor ®

0.02

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRFHS8342TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装