IRLI2910PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：27 A
Rds漏源导通电阻：40毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：93.3 nC
Pd-功率耗散：48 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLI2910PBF SP001558218
单位重量：6 g
特征

逻辑-电平门驱动
先进的工艺技术
超低导通电阻
隔离包装
高压隔离= 2.5KVRMS
下沉到导致爬电距离。 = 4.8毫米
完全雪崩等级
无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，可实现每硅面积极低的导通电阻。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-220 Full Pak消除了工业应用中对附加绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在接线片和外部散热器之间具有较高的隔离能力和较低的热阻。这种隔离等效于对标准TO-220产品使用100微米的云母屏障。 Fullpak可使用单个夹子或单个螺钉固定到散热器上。
最大绝对额定值

Absolute Maximum Ratings
Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	31	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	22
IDM	Pulsed Drain Current †	190
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	63	W
	Linear Derating Factor	0.42	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚†	520	mJ
IAR	Avalanche Current †	29	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy	6.3	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dtƒ†	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRLI2910PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装