IRFP260MPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：50 A
Rds漏源导通电阻：40毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：156 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：300 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：27 S
下降时间：48 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：60 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：55 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：IRFP260MPBF SP001572874
单位重量：38 g
特征

•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•轻松并行
•简单的驱动器要求
•无铅
描述

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的

器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效

和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-247封装是商业工业应用的首选，在商业应用中，

较高的功率水平导致无法使用TO-220器件。

TO-247与TO-218相似，但由于其隔离的安装孔

而优于早期的TO-218封装。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	50	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	35
IDM	Pulsed Drain Current CD	200
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	300	W
	Linear Derating Factor	2.0	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
EAS	Single Pulse Avalanche EnergyCT	560	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	50	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	30	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt Gl	10	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to +175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFP260MPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装