IRFP260MPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
认证:

深圳市凯斯宇科技有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续直流电流:50 A
Rds漏源导通电阻:40毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-萘甲酸:156 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:300 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:27 S
下降时间:48 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:60 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:55 ns
典型中断时间:17 ns
零件号别名:IRFP260MPBF SP001572874
单位重量:38 g
特征

•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•轻松并行
•简单的驱动器要求
•无铅
描述

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,

以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的

器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效

和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
TO-247封装是商业工业应用的首选,在商业应用中,

较高的功率水平导致无法使用TO-220器件。 

TO-247与TO-218相似,但由于其隔离的安装孔

而优于早期的TO-218封装。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

50

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

35

IDM

Pulsed Drain Current CD

200

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

300

W

 

Linear Derating Factor

2.0

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

±20

V

EAS

Single Pulse Avalanche EnergyCT

560

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

50

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

30

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt Gl

10

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to +175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFP260MPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装