NCE2007N场效应晶体管参数

地区:广东 深圳
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  场效应晶体管简称场效应管,主要有两种类型:结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管,简称MOSFET。

  型号:NCE2007N

  产品种类:MOSFET

  漏源极击穿电压(最大):20V

  连续漏极电流(最大):6.5A

  功率耗散(最大):1.5W

  栅源极击穿电压:12V

  漏源导通电阻(典型值)(4.5V):14.5mΩ

  封装:SOT23-6L



  一般特征:

  VDS=20V,ID=6.5A

  RDS(ON)<27mΩ@vg=2.5v

  RDS(ON)<22mΩ@vg=4.5v

  高功率和电流处理能力

  获得无铅产品

  表面安装包



  应用程序:

  电池保护

  负荷开关

  电源管理



  标记和引脚分配:


  绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:20V

  栅源电压:±12V

  漏极电流连续:6.5A

  漏极电流脉冲(注1):25A

  最大功耗:1.5W

  操作结和储存温度:-55-150℃



  誉辉天成电子有限公司以TI为主线,ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线,所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业,亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队,长期关注电子产业的最新动态与价格变化,与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系,与国内着名设计厂商达成合作,授权代理。同时快速响应新老客户需求,企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统,高效快速整合公司的资源,为客户带来星级服务。

型号/规格

NCE2007N

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

SOT23-6L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装