NCE2007N场效应晶体管参数

　　场效应晶体管简称场效应管,主要有两种类型：结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管，简称MOSFET。

　　型号：NCE2007N

　　产品种类：MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：20V

　　连续漏极电流（最大）：6.5A

　　功率耗散（最大）：1.5W

　　栅源极击穿电压：12V

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：14.5mΩ

　　封装：SOT23-6L

　　一般特征：

　　VDS=20V,ID=6.5A

　　RDS(ON)<27mΩ@vg=2.5v

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　电池保护

　　负荷开关

　　电源管理

　　标记和引脚分配：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：6.5A

　　漏极电流脉冲(注1)：25A

　　最大功耗：1.5W

　　操作结和储存温度：-55-150℃

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