NCE55P04S报价MSFET新洁能原装

　　产品型号：NCE55P04S

　　品牌：新洁能NCE

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：-55V

　　连续漏极电流（最大）：-4A

　　功率耗散（最大）：3W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：66mΩ

　　封装：SOP-8

　　引脚图：

　　应用领域：

　　电源开关的应用

　　硬开关和高频电路

　　DC-DC转换器

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-55v

　　栅源电压：±20v

　　漏极电流连续：4A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-2.8A

　　脉冲漏极电流：-25A

　　最大功耗：3w

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

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