NCE30P12S价格

　　NCE30P12S采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低4.5V的栅电压运行。该器件适用于负载开关或PWM应用。

　　产品型号：NCE30P15S

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：15A

　　漏源电压（Vdss）：30V

　　栅源极阈值电压（最大值）：2.2V@250uA

　　漏源导通电阻（最大值）：12mΩ@15A，10V

　　类型：P沟道

　　功率耗散（最大值）：3.1W

　　一般特征：

　　VDS=-30V，ID=-12A

　　RDS(ON)<25mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<15mΩ@vg=-10v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用程序：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续(TC=25℃)：-12

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-8.4

　　漏极电流脉冲(注1)：-48

　　最大功耗(TC=25℃)：3w

　　最大功耗(TC=100℃)：1.3w

　　单脉冲雪崩能量(注5)：231mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。