N通道MOS管NCE5020Q

　　金属-氧化物-半导体结构的晶体管简称MOS管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

　　NCE5020Q采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　产品型号：NCE5020Q

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N-50VTrenchMOSFET

　　漏源极击穿电压（最大）：50V

　　连续漏极电流（最大）：20A

　　功率耗散（最大）：35W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻：19mΩ

　　封装：DFN3X38L

　　产品图片：

　　一般特征:

　　VDS=50v,ID=20

　　RDS(ON)<22mΩ@vg=10v(Typ:19mΩ)

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

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