mosfet场效应管NCE30P28Q

　　NCE30P28Q采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，该设备适用于负载开关或电源管理。

　　mosfet场效应管NCE30P28Q一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-28A

　　RDS(ON)<9mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<17mΩ@vg=-4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　mosfet场效应管NCE30P28Q应用程序：

　　电源管理

　　负荷开关

　　mosfet场效应管NCE30P28Q封装：

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-28A

　　漏极电流脉冲(注1)：-80A

　　最大功耗：40W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　誉辉天成之经营理念：只做原装正品，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了正品，也选择了安心，不用担心会出质量问题。