mos管原厂NCE7190H

　　NCE7190H采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　NCE7190H一般特征：

　　vds=71V,ID=90A

　　rds(ON)<6.8mΩ@VGS=10V(类型：5.9mΩ)

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　NCE7190H应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：71V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：90

　　漏极电流连续(TC=100℃)：63

　　脉冲漏极电流：320

　　最大功耗：170W

　　降额因子：1.13W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：550mj

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　包装信息：