新洁能mosfet厂商价格

地区:广东 深圳
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  NCE3020Q采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。



  新洁能mosfet厂商一般特征:

  VDS=30V,ID=20A

  RDS(ON)<9mΩ@vg=10v

  RDS(ON)<15mΩ@vg=4.5v

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装

  特殊工艺,具有高ESD能力



  新洁能mosfet厂商应用程序:

  电源开关应用

  硬开关高频电路

  不间断电源



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:30V

  栅源电压:±20V

  漏极电流连续:20S

  漏极电流连续(TC=100℃)ID:14.1A

  脉冲漏极电流:80A

  最大功耗:20W

  降额因子:0.27W/℃

  单脉冲雪崩能量(注5):72mJ

  操作结和存储温度范围:-55-150℃



  电气特性(TC=25℃,除非另有说明):

型号/规格

NCE3020Q

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

DFN3.3X3.3-8L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装