FET场效应晶体管NCE6050I

　　场效应管FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

　　产品型号：FET场效应晶体管NCE6050I

　　Vds-漏源极击穿电压：60V

　　Id-连续漏极电流：50A

　　Pd-功率耗散：80W

　　Vgs-栅源极击穿电压：20V

　　RdsOn@10V-漏源导通电阻：17mΩ

　　封装：TO-251

　　一般特征：

　　VDS=60V,ID=50A

　　RDS(ON)<20mΩ@vg=10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用领域：

　　电源开关应用

　　高频电路

　　持续电源供应

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：60v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：50a

　　漏电流连续(TC=100℃)：35a

　　脉冲漏电流：220a

　　最大功耗：80w

　　降额系数0.53 W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：115mj

　　工作结和储存温度范围：-55 ~ 175℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：