国内mosfet NCE3050KA

　　NCE3050KA采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　vds=30V,ID=50A

　　rds(ON)<11mΩ@VGS=10V

　　rds(ON)<16mΩ@VGS=5V

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，具有较高的AS值

　　良好的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：50

　　漏极电流连续(TC=100℃)：35A

　　脉冲漏极电流：140A

　　最大功耗：60W

　　降额因子：0.4W/℃

　　单脉冲雪崩能量：225mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：