国内mosfet NCE3050KA

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  NCE3050KA采用先进的沟槽技术和设计,以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。



  一般特征:

  vds=30V,ID=50A

  rds(ON)<11mΩ@VGS=10V

  rds(ON)<16mΩ@VGS=5V

  高密度电池设计超低Rdson

  充分描述雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,具有较高的AS值

  良好的散热包装

  特殊工艺,具有高ESD能力



  应用程序:

  功率切换应用程序

  硬开关和高频电路

  不间断电源



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:30V

  栅源电压:±20V

  漏极电流连续:50

  漏极电流连续(TC=100℃):35A

  脉冲漏极电流:140A

  最大功耗:60W

  降额因子:0.4W/℃

  单脉冲雪崩能量:225mJ

  操作结和存储温度范围:-55-175℃



  电气特性(TC=25℃,除非另有说明):

型号/规格

NCE3050KA

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装