N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11

地区:广东 深圳
认证:

深圳市誉辉天成电子有限公司

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  NCE75H11采用先进的沟槽技术和设计,以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。



  产品型号:NCE75H11

  产品种类:MOSFET

  产品特性:N沟道增强型场效应晶体管

  漏源极击穿电压(最大):75V

  连续漏极电流(最大):110A

  功率耗散(最大):210W

  栅源极击穿电压:25V

  漏源导通电阻(典型值)(10V):7.5mΩ

  封装:TO-220



  一般特征:

  VDS=75V,ID=110A

  RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V(Typ:7.5mΩ)

  特殊工艺,具有高ESD能力

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS值高

  优异的散热包装



  应用程序:

  电源开关应用

  硬开关高频电路

  不间断电源



  典型应用电路图:


  誉辉天成电子有限公司以TI为主线,ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线,所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业,合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业,亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队,长期关注电子产业的最新动态与价格变化,与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系,与国内着名设计厂商达成合作,授权代理。同时快速响应新老客户需求,企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统,高效快速整合公司的资源,为客户带来星级服务。

型号/规格

NCE75H11

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装