NCE30P20Q mos管价格

　　NCE30P20Q mos管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，低闸门充电。该器件适用于负载开关或PWM应用。

　　一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-20A

　　RDS(ON)<25mΩ@vg=-4.5v

　　RDS(ON)<15mΩ@vg=-10v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　应用：

　　PWM程序

　　负荷开关

　　电源管理

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-20

　　漏极电流连续(TC=100)℃ID：-14.1

　　漏电流脉冲(注1)IDM-80a

　　最大功耗PD35w

　　工作结和储存温度范围：-55至150℃

　　包装信息：