金属氧化层半导体场效应晶体管NCE4558K

　　金属氧化层半导体场效应晶体管NCE4558K采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的rds(ON)与低闸门充电。它可以用于各种各样的应用。

　　一般特征：

　　vds=45V,ID=58A

　　RDS(ON)<12MΩ@VGS=10V

　　RDS(ON)<18MΩ@VGS=4.5V

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，具有较高的AS值

　　良好的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　负荷开关

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　封装：