25.A MOS管NCE30P25S

　　MOS全称Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，描述了集成电路中MOS管的结构，即在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。

　　25.AMOS管NCE30P25S采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，该设备适用于作为负载开关或电源管理。

　　25.AMOS管NCE30P25S一般特点：

　　VDS=-30V,ID=-25A

　　RDS(ON)<9mΩ@vg=-10v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　25.AMOS管NCE30P25S应用程序：

　　电源管理

　　负荷开关

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-30V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-25

　　漏极电流脉冲(注1)：-70

　　最大功耗：3.5W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　SOP-8包信息：