功放场效应管

　　产品型号：NCE40H21CD

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：210A

　　漏源电压（Vdss）：40V

　　栅源极阈值电压：4V@250uA

　　漏源导通电阻：2.5mΩ@40A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：310mW

　　一般特征：

　　VDS=40V,ID=210A

　　RDS(ON)<2.5mΩ@vg=10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：40V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：210A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：148A

　　脉冲漏极电流：840A

　　最大功耗：310W

　　降额因子：2.07W/℃

　　单脉冲雪崩能量：1800mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。