NCE01P03S P沟道功率MOSFET

　　NCE01P03S P沟道功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用，ESD提出抗议。

　　NCE01P03S一般特征：

　　VDS=-100V,ID=-3A

　　RDS(ON)<200mΩ@vg=-10v(Typ：170m?)

　　RDS(ON)<230mΩ@vg=-4.5v(Typ：200m?)

　　超高密度电池设计

　　先进的挖沟工艺技术

　　可靠耐用

　　高密度电池设计，超低通电阻

　　NCE01P03S应用程序：

　　电源开关

　　DC/DC转换器

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-100V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：3

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-2.1

　　脉冲漏极电流：-20

　　最大功耗：2.5W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

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