内置mos管

　　产品型号：NCE3080IA

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：80A(Tc)

　　漏源电压（Vdss）：30V

　　栅源极阈值电压：1.4V@250uA

　　漏源导通电阻：6.5mΩ@30A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：83W(Tc)

　　一般特征：

　　VDS=30v,ID=80

　　RDS(ON)<6.5mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<10mΩ@vg=5v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：