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产品属性
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增强型MOS管NCE4953A采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低栅极充电和低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
增强型MOS管NCE4953A一般特征:
VDS=-30V,ID=-5.3A
RDS(ON)<85m?@vg=-4.5v
RDS(ON)<49m?@vg=-10v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
增强型MOS管NCE4953A应用程序:
PWM程序
负荷开关
电源管理
增强型MOS管NCE4953A封装:
绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):
漏源电压:-30V
栅源电压:±20V
漏极电流连续:-5.3
漏极电流脉冲(注1):-20
最大功耗:2.6W
操作结和存储温度范围:-55-150℃
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NCE4953A
NCE新洁能
SOP-8
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装