双栅场效应管封装TO-250

　　产品型号：NCEP60T12AK

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：120A

　　漏源电压（Vdss）：60V

　　栅源极阈值电压：2.4V@250uA

　　漏源导通电阻：4mΩ@60A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：180W(Tc)

　　一般特征：

　　VDS=60V,ID=120A

　　RDS(ON)<4.0mΩ@vg=10v(Typ:3.5mΩ)

　　RDS(ON)<5.0mΩ@vg=4.5v(Typ:4.0mΩ)

　　优秀的门电荷xRDS(on)产品

　　极低导通电阻RDS(on)

　　工作温度175℃

　　无铅电镀

　　100%ui测试

　　封装：

　　应用程序：

　　直流/直流转换器

　　适用于高频开关和同步整流

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：