绝缘栅场效应管NCE40TD120T

地区:广东 深圳
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  绝缘栅场效应管的种类较多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管,通常用MOS表示,简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗(可达1012Ω以上),并且制造工艺比较简单,使用灵活方便,非常有利于高度集成化。

  绝缘栅场效应管NCE40TD120T采用NCE独有的沟槽设计和先进的FS (fied stop)第二代技术,1200V沟槽FS II IGBT具有优越的导通和开关性能,易于并行操作;



  绝缘栅场效应管NCE40TD120T特性:

  海沟FSII技术提供

  VCE非常低(坐)

  高速开关

  在VCE正温度系数(坐)

  参数分布非常紧密

  强度高,温度稳定



  绝缘栅场效应管NCE40TD120T应用程序:

  变频器

  不间断电源

  太阳能逆变器

  焊接转换器



  绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):

  集电极发射极电压:1200V

  栅极发射极电压:±30v

  集电极电流:80

  集电极电流@TC=100℃:40a

  脉冲集电极电流:160A

  二极管连续正向电流@TC=100℃:20a

  二极管最大正向电流:80a

  TC=25°C时的功耗:480W

  功耗@TC=100℃:192w

  操作结和存储温度范围:-55+150℃

  焊接的最高温度:260℃

  短路耐受时间VGE=15.0V,VCC≤600V,允许数量

  短路之间的短路<1000时间:≥1.0s,Tvj=150℃:10us



  电气特性(TC=25℃,除非另有说明):

型号/规格

NCE40TD120T

品牌/商标

NCE新洁能

封装形式

TO-247-3L

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装